Na abertura do 67º Encontro Internacional de Dispositivos Eletrônicos (IEDM), realizado em São Francisco (EUA) no último sábado (11), IBM e Samsung anunciaram o desenvolvimento conjunto de uma nova tecnologia que promete revolucionar o desempenho dos dispositivos eletrônicos, incluindo celulares. A inovação envolve um novo modelo para o projeto de futuros semicondutores.
Chamados Transistores de Efeito de Campo de Transporte Vertical (VTFET a sigla em inglês), a nova tecnologia, que promete aposentar o atual FinFET, consiste em um design que empilha os transistores verticalmente em um chip. Isso permite que esses dispositivos semicondutores fiquem planos na superfície do silício, com os processadores e SoCs atuais permitindo que a corrente elétrica flua para cima e para baixo na pilha.
A novidade representa um ganho sobre a tecnologia fin field effect transistor (FinFET), que usa um layout horizontal lado a lado. Essa arquitetura, criada pela Intel, foi a primeira a usar transistores 3D em um design de barbatana de peixe.
Quais são os benefícios do VTFET?
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Segundo IBM e Samsung, a grande vantagem do VTFET é que a posição dos transistores garante maior fluxo de corrente, com menor gasto de energia. Isso permite produzir processadores duas vezes mais rápidos que os atuais e com uma economia de energia de 85% em relação aos chips projetados com a arquitetura FinFET atual.
No dia a dia, dizem os gigantes da tecnologia, o uso de processadores construídos com a nova tecnologia pode levar à fabricação de smartphones capazes de funcionar uma semana inteira com uma única carga de bateria. Tarefas que atualmente consomem muita energia, como criptomineração, podem ser realizadas de forma eficiente, causando menos impacto ao meio ambiente.
Última atualização em 19 de setembro de 2022
